北大用ALD研制出15纳米碳纳米管CMOS器件
发布时间:
2012/10/20
北京大学采用嘉兴37000v威尼斯电子公司ALD设备 (TALD-100)成功研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴37000v威尼斯电子ALD制备，该介质CV曲线没有迴线，不存在短沟道效应和漏电。
北京大学采用嘉兴37000v威尼斯电子公司ALD设备 (TALD-100)成功研制栅长15纳米的碳纳米管优越性能的CMOS器件。其中关键的HfO2高k栅介质是由嘉兴37000v威尼斯电子ALD制备，该介质CV曲线没有迴线，不存在短沟道效应和漏电。TALD-100是由美国硅谷专家和中科院专家联合研发，设备内腔采用SiC高集成设计，前驱体源消耗只是通常的20%，可低温生长各种高质量薄膜。
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